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2025/08/07
拉斯维加斯官网摩根大通:2024年HBM TCB键合机市场规模46|绿巨人3.2

  2024年ღღღღ,HBM成为半导体产业最炙手可热的产品之一ღღღღ。随着AI大模型和高性能计算的狂飙突进ღღღღ,英伟达等巨头对HBM的需求水涨船高ღღღღ,内存厂的HBM订单早已售卖一空ღღღღ,尤其是SK海力士ღღღღ,其在HBM市场占有率高达70%ღღღღ,更是赚得盆满钵满ღღღღ。

  然而ღღღღ,就在这股浪潮背后ღღღღ,名为“TCB(Thermal Compression Bonding)键合机”的设备ღღღღ,正在悄然决定HBM产业链的上限ღღღღ,不论是SK海力士ღღღღ,还是美光三星ღღღღ,都在过去一年时间里加大了设备方面的投入ღღღღ,也让更多设备厂商有机会吃上这波AI红利ღღღღ。

  先来了解一下目前HBM芯片的键合技术ღღღღ。在传统的倒装芯片键合中绿巨人3.2永久破解版ღღღღ,芯片被“翻转”ღღღღ,以便其焊料凸块(也称为 C4 凸块)与半导体基板上的接合焊盘对齐ღღღღ。整个组件被放置在回流炉中ღღღღ,并根据焊料材料均匀加热至 200ºC-250ºC 左右ღღღღ。焊料凸块熔化拉斯维加斯官网ღღღღ,在接合和基板之间形成电气互连ღღღღ。

  随着互连密度的增加和间距缩小到 50µm 以下ღღღღ,倒装芯片工艺面临一些挑战ღღღღ。由于整个芯片封装都放入烤箱中ღღღღ,芯片和基板会因热量而以不同的速率膨胀(即不同的热膨胀系数ღღღღ,CTE)ღღღღ,从而产生变形ღღღღ,导致互连出现故障ღღღღ。然后ღღღღ,熔融焊料会扩散到其指定区域之外ღღღღ。

  这种现象称为焊料桥接ღღღღ,会导致相邻焊盘之间出现不必要的电连接ღღღღ,并可能造成短路ღღღღ,从而导致芯片出现缺陷ღღღღ。这就是TCB(热压键合)工艺发挥作用的地方ღღღღ,因为它可以解决间距缩小到某个点以下时倒装芯片工艺出现的问题ღღღღ。

  TCB的优势在于ღღღღ,热量是通过加热工具头局部施加到互连点上ღღღღ,而不是在回流焊炉(倒装芯片)中均匀施加ღღღღ。这样可以减少向基板的热量传递ღღღღ,从而降低热应力和 CTE 挑战ღღღღ,实现更强大的互连ღღღღ。对芯片施加压力以提高粘合质量并实现更好的互连ღღღღ。典型的工艺温度范围在 150ºC-300ºC 之间ღღღღ,压力水平在 10-200MPa 之间ღღღღ。

  除此之外ღღღღ,TCB 允许的接触密度比倒装芯片更高ღღღღ,在某些情况下每平方毫米可达到 10ღღღღ,000 个接触点ღღღღ,但更高精度的主要缺点是吞吐量较低ღღღღ。虽然倒装芯片机每小时可以达到超过 10ღღღღ,000 个芯片的吞吐量ღღღღ,但 TCB 的吞吐量则在 1ღღღღ,000-3ღღღღ,000 个芯片的范围内ღღღღ。

  目前ღღღღ,三星和美光在HBM制造的后端工艺环节均采用了“TC-NCF(非导电胶膜)”技术ღღღღ。这一工艺是在各层DRAM之间嵌入NCFღღღღ,并通过TCB工艺从上至下施加热压ღღღღ,NCF在高温下融化ღღღღ,起到连接凸点并固定芯片的作用ღღღღ。

  而SK海力士在前两代HBM上也使用过TC-NCF技术ღღღღ,最终在HBM2E上切换到了MR-MUF技术ღღღღ,这一技术在每次堆叠DRAM时ღღღღ,会先通过加热进行临时连接ღღღღ,最终在堆叠完成后进行回流焊以完成键合ღღღღ,随后填充环氧模塑料(EMC)ღღღღ,使其均匀渗透到芯片间隙ღღღღ,起到支撑和防污染的作用ღღღღ。

  就目前而言ღღღღ,MR-MUF相较于TC-NCF具备更多优点ღღღღ,据 SK 海力士称ღღღღ,与 NCF 相比ღღღღ,MR-MUF 的热导率大约是 NCF 的两倍ღღღღ,对工艺速度和产量有显著影响ღღღღ。

  不过无论是哪一种工艺ღღღღ,最终都会需要用到TCB键合机这类设备ღღღღ,随着HBM的生产规模不断扩大ღღღღ,TCB键合机市场也在水涨船高ღღღღ。据摩根大通预测绿巨人3.2永久破解版ღღღღ,HBM 用 TCB键合机的整体市场规模将从 2024 年的 4.61 亿美元增长至 2027 年的 15 亿美元(约 2.16 万亿韩元)ღღღღ,增长两倍以上ღღღღ。

  目前而言ღღღღ,TCB键合机市场目前呈“六强格局”ღღღღ。其中ღღღღ,韩国有韩美半导体ღღღღ、SEMESღღღღ、韩华SemiTechღღღღ,日本有东丽(Toray)ღღღღ、新川(Shinkawa)ღღღღ,新加坡则有ASMPTღღღღ。

  韩媒指出ღღღღ,自 2017 年以来ღღღღ,韩美半导体一直与 SK 海力士合作开发用于 HBM 制造的 TC 键合机ღღღღ,随着SK海力士事实上成为英伟达AI芯片HBM的独家供应商ღღღღ,韩美半导体也巩固了其在HBM TC键合机市场的地位ღღღღ,其在去年的营业利润增长了639%ღღღღ,达到2554亿韩元ღღღღ。

  除此之外ღღღღ,韩美半导体已开始致力于进一步增强其全球市场主导地位ღღღღ,开始将供应线扩大到 SK 海力士以外的公司ღღღღ,据了解ღღღღ,韩美半导体去年就争取到了此前主要使用日本新川的美光公司作为客户ღღღღ。

  而据韩国业内最新消息ღღღღ,韩美半导体在今年4月从美光获得了约50台TCB键合机的订单ღღღღ。这是继去年向美光供应数十台TCB键合机之后ღღღღ,今年再次获得的大规模追加订单ღღღღ。据悉ღღღღ,美光为避免其产能信息外泄ღღღღ,将此次合同金额分拆为无需公开披露的小额订单分别下单ღღღღ,且供应给美光的TCB键合机价格比SK海力士购买的同类设备高出30%~40%ღღღღ。

  价格差异源于两家公司在技术路径上的不同ღღღღ。美光采用的TC-NCF工艺相比SK海力士所采用的MR-MUF工艺有所不同ღღღღ,其设备头部结构更复杂ღღღღ,因此单台设备的价格也更高ღღღღ。

  香港证券公司里昂证券(CLSA)预测ღღღღ,“虽然韩美半导体74%的TC键合机销售额来自SK海力士ღღღღ,但通过客户多元化ღღღღ,到2027年ღღღღ,该公司将把对SK海力士的依赖度降低到40%”ღღღღ,并补充道ღღღღ,“目前看来ღღღღ,该公司很可能将在HBM TCB键合机市场保持较高的市场份额ღღღღ。”

  韩国业内人士表示ღღღღ:“韩美半导体目前已将其TCB键合机供货至美光等多个客户ღღღღ,拥有庞大的客户基础ღღღღ,其他厂商要在短期内追赶并不容易ღღღღ。”摩根大通(JP Morgan)最近发布的报告也指出ღღღღ,未来至少三年内韩美半导体仍将主导该细分市场ღღღღ。

  韩美半导体对此也表现出十足的自信ღღღღ。公司会长郭东元在韩华SemiTech传出与SK海力士签订供货合同后ღღღღ,曾公开表示ღღღღ:“后发厂商的技术虽有一定水准ღღღღ,但韩华SemiTech最终可能也仅拿到少量订单ღღღღ,结果无疾而终ღღღღ。”

  同为韩国企业的韩华SemiTech原名“韩华精密机械”ღღღღ,在去年完成更名ღღღღ,正式确立了其作为半导体专用设备厂商的市场定位ღღღღ。而早在2020年ღღღღ,韩华SemiTech就已启动HBM用TCB键合机的研发ღღღღ,并成功与SK海力士签订了供货合同ღღღღ。

  韩华SemiTech受到高度关注的原因ღღღღ,在于其背后有韩华集团的强力支撑ღღღღ。集团会长金升渊的三子——金东善副社长目前负责集团未来战略ღღღღ,其曾公开表示将继续在该领域投资ღღღღ,以强化韩华SemiTech的竞争力ღღღღ。

  尽管市场普遍预计韩美半导体的领先地位至少能维持三年ღღღღ,但韩华SemiTech如何搅动市场格局成为了焦点ღღღღ。

  为提升HBM产能ღღღღ,SK海力士正尝试多元化TCB键合机供应商ღღღღ,并已在今年两次向韩华SemiTech下单ღღღღ,总金额约达420亿韩元ღღღღ,共12台TC键合机ღღღღ。而长期为SK海力士供货的韩美半导体对此表示强烈不满ღღღღ,原因是SemiTech是其存在技术泄露和专利侵权争议的竞争对手ღღღღ。

  半导体业内人士指出ღღღღ:“最具争议的是ღღღღ,韩华SemiTech的TC键合机价格被定在高于韩美半导体原有设备的水平ღღღღ。对于一直与SK海力士保持紧密同盟关系的韩美半导体而言ღღღღ,这是难以接受的ღღღღ。”因此ღღღღ,韩美半导体采取了报复性措施ღღღღ,将此前对SK海力士提供的客户服务(CS)从免费转为收费ღღღღ,并通知其将设备供货价格上调28%ღღღღ。

  SK海力士方面则回应称ღღღღ,设备价格是根据与供应商的协商决定的ღღღღ,并无给予韩华Semitec“无理由溢价”的情况ღღღღ。一位熟悉SK海力士的业内人士表示ღღღღ:“TCB键合机的合同根据SK海力士所需的附加选项而有所不同ღღღღ,因此每家供应商的合同条款自然也有所区别ღღღღ。”

  据悉绿巨人3.2永久破解版ღღღღ,SK海力士给予韩华SemiTech设备高评价的原因ღღღღ,正是其在自动化系统和维护便利性方面的表现ღღღღ。韩华SemiTech方面表示ღღღღ:“此次供货的TCB键合机以‘减少人工操作’为目标ღღღღ,搭载了多种数字化解决方案与自动化系统ღღღღ,并采用了更适合工程师使用的软件ღღღღ。”他们补充道ღღღღ:“设备能够轻松支持8层ღღღღ、12层乃至16层堆叠ღღღღ,最大限度地反映了SK海力士工程师的需求ღღღღ。我们正集中全公司力量ღღღღ,力争扩大今年的供货量ღღღღ。

  对于TCB键合机这一市场而言ღღღღ,两家韩国设备厂商固然有不少看点ღღღღ,但位于新加坡的ASMPT同样实力不俗ღღღღ。

  据韩媒报道ღღღღ,SK海力士在其最先进的HBM3E的技术开发中ღღღღ,很可能引入新加坡ASMPT的设备绿巨人3.2永久破解版ღღღღ。由于HBM是通过堆叠多层DRAM芯片实现封装的ღღღღ,随着层数增加ღღღღ,其良率变得不稳定ღღღღ,据传ASMPT的设备在这一方面获得了SK海力士的高度评价ღღღღ。

  韩国业界人士于今年2月透露ღღღღ,SK海力士已从ASMPT订购了TCB键合机绿巨人3.2永久破解版ღღღღ,并正在HBM3E 16层产品等多款HBM产品线上进行测试ღღღღ。

  据了解ღღღღ,SK海力士今年1月在美国拉斯维加斯举行的“CES 2025”上展示了使用ASMPT设备制造的HBM3E 16层产品ღღღღ,这一产品被认为是从HBM3E 12层向下一代HBM4(第六代HBM)过渡的中间版本ღღღღ,而韩国业内部分人士指出ღღღღ,去年ASMPT已有30多台设备部署到SK海力士的生产线中ღღღღ。

  一位半导体行业人士表示ღღღღ:“由于HBM4与前几代产品不同ღღღღ,普遍为定制开发ღღღღ,因此部分客户更可能优先采用通用性更强的HBM3Eღღღღ。”他补充道ღღღღ:“随着如DeepSeek等低成本AI模型的兴起ღღღღ,对比价格昂贵的HBM4ღღღღ,HBM3E产品线可能会维持更长的硬件需求周期ღღღღ。”

  随着HBM堆叠层数增加ღღღღ,制程难度也同步上升ღღღღ,绑定设备的重要性随之提升ღღღღ。例如在HBM3E 12层中ღღღღ,由于芯片Die变得更薄ღღღღ,为防止弯曲ღღღღ,需要在键合过程中施加轻微热量使其略为粘合ღღღღ,再进行回流焊接ღღღღ,SK海力士将此工艺称为hMR(heated Mass Reflow)ღღღღ。

  一位熟悉SK海力士的知情人士表示ღღღღ:“在HBM3E 16层的工艺模拟过程中ღღღღ,发现随着堆叠层数增加ღღღღ,ASMPT设备的性能超过韩美半导体设备ღღღღ。”他补充说ღღღღ:“CES 2025上公开的HBM3E 16层产品采用ASMPT设备ღღღღ,这一事实显然与其设备表现优异密切相关ღღღღ。”

  值得一提的是ღღღღ,无助焊剂键合技术作为TCB的上位替代ღღღღ,最早应用于其他半导体封装场景ღღღღ,但近年来随着HBM需求激增ღღღღ,逐渐成为内存制造领域的关键创新方向ღღღღ,目前有两家新加坡公司在这一方面均有所布局ღღღღ。

  除了前文中提到的ASMPT外ღღღღ,同在新加坡的K&S(库力索法 Kulicke & Soffa)也加入了这场新的竞争之中ღღღღ,其在半导体领域长期专注于传统封装方式ღღღღ,如金线键合(Wire Bonding)ღღღღ,但近年来开始大力拓展先进封装技术市场ღღღღ。

  这两家设备厂在无助焊剂键合上采用了不同的方案ღღღღ,K&S采用化学方法(甲酸)去除晶圆表面的氧化层ღღღღ,而ASMPT(以及其他键合设备厂商)则采用物理方法(等离子清洗)ღღღღ。

  据了解ღღღღ,K&S 推出的甲酸法优点是可以在热压键合的同时去除氧化层ღღღღ,避免焊球表面再次氧化的风险(见下图)ღღღღ。缺点是化学制程会留下残留物(如上图化学反应式所示)ღღღღ,键合后需要额外的清洗站来保证良率(凸块间距越小ღღღღ,残留物越难彻底清洗)ღღღღ,导致机台产能下降ღღღღ。

  而ASMPT的等离子方法产量较高ღღღღ,不需要额外的清洗站ღღღღ。不过ღღღღ,氧化层的去除和热压接合不能同时进行ღღღღ。在这种方法中ღღღღ,物理离子轰击焊球表面ღღღღ,先去除氧化层ღღღღ,然后再进行热压接合ღღღღ,两个步骤之间有再次氧化的风险ღღღღ,此外ღღღღ,不同的芯片需要调整不同的等离子配方ღღღღ,使工艺更加复杂ღღღღ。

  前文中只提到了SK海力士和美光ღღღღ,那么三大HBM巨头之一的三星在TCB键合机上又是如何抉择的呢?

  据了解ღღღღ,此前三星电子一直从其半导体设备子公司SEMES和日本新川采购用于NCF工艺的TCB键合机ღღღღ,尽管三星与新川之间一直保持着紧密合作ღღღღ,但最近其供应结构已经转向以SEMES为中心的格局拉斯维加斯官网ღღღღ。

  业内分析指出ღღღღ,新川设备的性能近年来已不及竞争对手产品ღღღღ,加之三星正通过SEMES推进TCB键合机的自研内化ღღღღ,强化其盈利能力ღღღღ。在SEMES设备技术水平提升的背景下ღღღღ,三星转而使用自家设备而非新川产品ღღღღ,此外ღღღღ,这也意味着SK海力士和美光所采用的韩美半导体设备未来被三星引入的可能性也变得更低ღღღღ。

  一位半导体行业相关人士透露ღღღღ:“三星电子已不再使用新川设备ღღღღ。过去三星在HBM堆叠的最初阶段——4层工艺中使用新川的TCB键合机ღღღღ,但目前连这一部分也逐渐由SEMES全权负责ღღღღ。”

  三星电子与美光目前所采用的TC-NCF方式ღღღღ,是在芯片之间夹入绝缘薄膜ღღღღ,再通过热压使薄膜熔化并实现粘接拉斯维加斯官网ღღღღ。这种工艺虽然结构简单ღღღღ、便于厚度控制ღღღღ,但在散热性能方面存在劣势ღღღღ。新川曾长期向这两家公司提供该类设备ღღღღ。

  随着HBM从4层 → 8层 → 12层 → 16层不断演进ღღღღ,堆叠层数的增加也对TCB键合机提出了更高要求ღღღღ,4层HBM产品已问世超过10年绿巨人3.2永久破解版拉斯维加斯官网ღღღღ,目前属于老旧产品ღღღღ,而用于该工艺的新川设备也被认为是相对低规格的设备ღღღღ。

  随着堆叠层数上升至8层ღღღღ,对设备技术提出更高要求ღღღღ,三星已将新川设备逐步替换为SEMES设备ღღღღ。据分析ღღღღ,即使在4层产品上ღღღღ,实际也已转由SEMES主导ღღღღ,另据悉ღღღღ,三星目前仍将HBM2E(4层)产品供应给华为以及部分中国GPU厂商ღღღღ。

  上述人士还指出ღღღღ:“新川的TCB键合机仅由一个电机驱动两个焊头ღღღღ,技术水平相对较低ღღღღ。对三星来说ღღღღ,已不再有维持‘双重供应商’策略的必要ღღღღ。”他还补充道ღღღღ:“从新川财报中也未发现来自三星的销售数据ღღღღ,这被业内普遍视作两家公司事实上已经分手ღღღღ。”

  与此同时ღღღღ,SEMES的业绩有望随之改善ღღღღ。此前由于三星对TCB键合机的订单减少ღღღღ,SEMES一度经营承压ღღღღ。2023年ღღღღ,SEMES的销售额为24450亿韩元ღღღღ,较前一年(25155亿韩元)下降2.8%ღღღღ,但同期营业利润从667亿韩元大幅增长至1212亿韩元ღღღღ,年增幅高达81.7%ღღღღ。这主要得益于其显示器设备业务的大幅增长ღღღღ,而非主力半导体设备ღღღღ。

  按销售和订单结构来看ღღღღ,SEMES的半导体设备销售额从2022年的15515亿韩元降至2023年的12599亿韩元ღღღღ,减少18.79%ღღღღ;而显示设备销售额则从136亿韩元暴增至1507亿韩元ღღღღ,增长逾1000%ღღღღ。此前一度考虑撤出的显示业务ღღღღ,在获得三星显示的大额订单后ღღღღ,弥补了半导体设备订单的空缺ღღღღ。若SEMES成为三星TCB键合机的独家供应商ღღღღ,其半导体设备营收占比有望再次上升ღღღღ。

  另一方面ღღღღ,曾被传将与三星合作的韩美半导体ღღღღ,向三星供应TCB键合机的可能性也进一步降低ღღღღ。业内传言称ღღღღ,韩美半导体已被排除在三星的TCB键合机供应名单之外ღღღღ。由于韩美曾与SEMES发生专利诉讼拉斯维加斯官网ღღღღ,若两家公司同时向三星供货ღღღღ,可能会因技术泄露风险导致合作顾虑ღღღღ。因此ღღღღ,韩美半导体预计将继续聚焦于向美光与SK海力士供货ღღღღ。

  不难看出ღღღღ,近两年HBM专用的TCB键合机市场发生了非常大的变化ღღღღ,由过去新川和东丽等日系厂商为主导转向以韩美和韩华等韩系厂商为主导ღღღღ,考虑到目前HBM市场中SK海力士一家独大的情况ღღღღ,未来TCB键合机市场的走向很大程度上就取决于这一家厂商的选择ღღღღ。

  近日行业传言称ღღღღ,韩国政府计划限制HBM设备的出口ღღღღ,特别是关键的TCB键合机ღღღღ。据悉拉斯维加斯官网ღღღღ,韩国政府已要求本土主要的TCB键合机制造商ღღღღ,暂停向特定国家和地区的客户交付设备ღღღღ,同时收紧对相关技术出口的审批流程ღღღღ。

  对于国内而言ღღღღ,目前已有多家半导体设备公司正在全力攻坚高端封装设备ღღღღ,其中一部分厂商已在TCB设备领域取得初步突破ღღღღ:

  虽然部分国内企业在贴装ღღღღ、加热ღღღღ、对准等子系统已具备技术储备ღღღღ,但整机集成能力ღღღღ、热压头模块ღღღღ、压力控制系统ღღღღ、高精度机械臂等关键技术仍有待突破ღღღღ。尤其是“大设备系统整合+客户产线验证”环节ღღღღ,是国产设备厂商短期面临的最大挑战ღღღღ。

  值得关注的是ღღღღ,不只是TCB键合机这一类产品ღღღღ,韩国半导体设备厂商正在藉由HBM的热销悄然崛起ღღღღ。

  据TheElec对2024年第四季度韩国46家半导体设备企业的业绩分析ღღღღ,营业利润率最高的六家公司分别是ღღღღ:韩美半导体ღღღღ、Techwingღღღღ、Zeusღღღღ、Juseong Engineeringღღღღ、DIT与Oros Technology这六强中有四家聚焦于后处理设备ღღღღ,深受HBM与先进封装热潮带动ღღღღ。

  作为排名第一的企业ღღღღ,韩美半导体2024年销售额达5589亿韩元ღღღღ,营业利润高达2554亿韩元ღღღღ,年利润增长六倍ღღღღ,营业利润率达46%ღღღღ。该公司长期以来向SK海力士独家供应HBM用TC键合机ღღღღ,构建起强势的技术壁垒ღღღღ。

  紧随其后的是Techwingღღღღ,2023年实现销售额1855亿韩元ღღღღ、营业利润234亿韩元ღღღღ,其中约45%营收来自美光ღღღღ。核心产品为内存测试处理机ღღღღ,公司近期更因其全新HBM测试设备“Cube Prober”而成为业界焦点ღღღღ。

  传统上ღღღღ,HBM芯片在出货前并不进行最终测试ღღღღ,存在较大风险ღღღღ。英伟达近期改变策略ღღღღ,计划引入最终检查流程以提升产品可靠性和成本控制ღღღღ,这也让Techwing的Cube Prober成为唯一入选的新一代测试设备ღღღღ。当前ღღღღ,该设备已向三星出货ღღღღ,并正在SK海力士进行质量验证ღღღღ,未来潜力被普遍看好ღღღღ。

  位列第三的Zeus专注HBM TSV(硅通孔)清洗设备ღღღღ,2024年营收达4908亿韩元ღღღღ,营业利润492亿韩元ღღღღ,利润增长率接近600%ღღღღ。其后段处理设备“Atom”与“Saturn”已被业界广泛采用ღღღღ,并凭借快速交付能力成功打入HBM产业链ღღღღ。

  此外ღღღღ,Zeus正在联合美国Pulseforge开发基于光子技术的剥离设备ღღღღ,并于Semicon Korea展会上首度公开新一代TBDB设备ღღღღ,展示其持续创新能力ღღღღ。

  第四名的Juseong Engineering则是一家ALD(原子层沉积)设备制造商ღღღღ,2024年营收为4094亿韩元ღღღღ,营业利润显著增长250%以上ღღღღ,其中高达85%(3464亿韩元)来自中国市场ღღღღ。

  公司多年深耕中国市场ღღღღ,与多家中资客户建立合作ღღღღ。然而ღღღღ,美国针对中国半导体产业的出口管制政策使其面临不确定性ღღღღ。尽管如此ღღღღ,由于Juseong提供的是相对高技术含量的设备ღღღღ,中国客户短期内难以替代ღღღღ,使其仍具稳定的市场份额ღღღღ。

  第五名的DIT以激光解决方案见长绿巨人3.2永久破解版ღღღღ,2024年营收1167亿韩元ღღღღ,营业利润241亿韩元ღღღღ,其中激光退火设备占59%ღღღღ。该公司与SK海力士自2019年开始联合开发HBM用激光退火技术ღღღღ,并于2023年下半年起正式导入HBM3E量产线ღღღღ,成为其核心工艺之一ღღღღ。

  排名第六的Oros Technology去年营收为614亿韩元ღღღღ,营业利润61亿韩元ღღღღ。虽然体量相对较小ღღღღ,但其焊盘覆盖设备在HBM后段制程中具备不可替代性ღღღღ,目前由其独家供应ღღღღ。去年中ღღღღ,该公司成功进入日本铠侠的供应链ღღღღ,并签下与三星电子价值96亿韩元的合同ღღღღ,客户结构逐步多元化ღღღღ。

  由于日本半导体设备自给率高ღღღღ、外部准入门槛高ღღღღ,因此Oros能打入Kioxia供应链被视为技术突破的象征ღღღღ。

  六家韩国半导体设备企业中ღღღღ,除Juseong Engineering外ღღღღ,均与HBM后处理及先进封装紧密相关ღღღღ,在韩美半导体之外ღღღღ,Techwingღღღღ、Zeus等企业凭借独门产品和工艺快速突围ღღღღ,这也显示出了韩国设备产业由单一强者向多元格局转变的趋势ღღღღ。

  据报道拉斯维加斯官网ღღღღ,韩美半导体在5月14日宣布ღღღღ,将推出用于HBM4生产的专用设备“TC Bonder 4”ღღღღ,这是一款针对HBM4特性大幅提升了精度与生产效率的高性能键合设备ღღღღ。韩美半导体会长表示ღღღღ:“新推出的‘TC Bonder 4’是专为HBM4开发的设备拉斯维加斯官网ღღღღ,即使在要求极高精度的16层以上堆叠工艺中ღღღღ,也能实现高生产效率和高品质ღღღღ。”

  这也是首个针对HBM4推出TCB键合机的设备厂商ღღღღ,尽管SK海力士开始转向多供应商的模式ღღღღ,但在高层数堆叠上ღღღღ,恐怕依旧离不开韩美半导体ღღღღ。

  包括韩美在内的设备厂商ღღღღ,正是韩国能在HBM设备上卡脖子的底气所在ღღღღ,不过从长期来看ღღღღ,韩国若执意限制出口ღღღღ,反而会倒逼国内HBM生态链加速建立ღღღღ,涵盖TCB设备ღღღღ、COWOS封装ღღღღ、HBM堆叠ღღღღ、芯粒设计ღღღღ、EDA协同等一整套本土化路径ღღღღ。欢迎来到拉斯维加斯游戏最新官方网站ღღღღ,拉斯维加斯网站ღღღღ。首页_拉斯维加斯游戏拉斯维加斯官方入口

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